適用製品
相変化材料、およびその材料を用いた相変化型メモリ素子
目的
実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規組成を有する相変化材料、およびそれを用いた相変化型メモリ素子を提供する。
効果
実用性の高い相変化型メモリ素子を構成する事が可能となる。
技術概要
Ｃｒ、Ｇｅ及びＴｅを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きく、前記Ｃｒ、Ｇｅ、Ｔｅ間には、一般化学式、
ＣｒｘＧｅｙＴｅ１００−ｘ−ｙ
で示される関係が存在し、ｘは１５．０−２５．０（ａｔ．％）、ｙは１５．０−２５．０（ａｔ．％）の範囲内で、３４．０（ａｔ．％）≦ｘ＋ｙ≦４８．０（ａｔ．％）となるように選択されている、相変化材料。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
