適用製品
被測定物に起因する静電容量値の変化を非接触で測定するシステム
目的
被測定物に起因する静電容量値の変化を非接触で測定することにより、被測定物による汚染を回避する非接触測定システムを提供する。
効果
被測定物に起因する静電容量値の変化を非接触で測定することにより被測定物による汚染を回避することが可能となる。
技術概要
静電容量型センサと、静電容量型センサの静電容量値を測定する測定部と、記憶部と、制御部とを備え、
静電容量型センサは、静電容量を形成するセンサ部と、被測定物を配置する被測定物用容器と、浮遊電極又はグラウンド電極である第３の電極と、を含み、
静電容量型センサは、被測定物用容器に被測定物を配置した状態において被測定物用容器を隔てて被測定物とは接触しないように配置され、
センサ部は、基材と、基材の第１の表面に形成された第１の電極と、反対側の第２の表面に形成された第２の電極とを含み、第１の電極は、第２の電極より被測定物用容器の近くに配置されたシグナル電極であり、第２の電極は、第１の電極より面積が大きなグラウンド電極であり、
被測定物用容器の底面はセンサ部に対向するように配置され、センサ部と第３の電極とは、被測定物用容器を挟んで対向するように配置され、
記憶部は、静電容量値の変化量と電解質の濃度との関係を示す検量線を予め記憶し、
制御部は、被測定物について測定部によって測定された静電容量値に対応する濃度を検量線から決定して被測定物での電解質の濃度とする
ことを特徴とする非接触測定システム。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
