適用製品
無電解めっきによりヘテロエピタキシャル成長を行う技術、無電解めっきによりヘテロエピタキシャル成長した領域を含むナノギャップ電極
目的
無電解めっきは素材の種類によってめっき膜を成長させることが困難である場合があり、密着性が高く、接触抵抗が低いめっき膜を形成することが困難であるという課題を解決する。
効果
第１金属部の表面にヘテロエピタキシャル成長した第２金属部を含むヘテロエピタキシャル構造体を得ることができる。第２金属部が第１金属部の表面でヘテロエピタキシャル成長した部位であることにより、第１金属部と第２金属部との密着性を高め、接触抵抗を低減することができる。また、このようなヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体およびナノギャップ電極を提供することができる。
技術概要
多結晶構造を有する第１金属部と、
前記第１金属部上の第２金属部と、を有し、
前記第２金属部は、前記第１金属部上で島状構造を有し、
前記第２金属部は、前記第１金属部の表面に露出する少なくとも一つの結晶粒に対応して設けられ、
前記第２金属部と前記少なくとも一つの結晶粒とは、ヘテロエピタキシャル界面を形成する、
ことを特徴とするヘテロエピタキシャル構造体。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
