適用製品
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的
界面準位密度を低減するためにＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を備えたゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果
Ｃ−Ｏ結合に代わりＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を備えることで界面準位密度を低減することができるダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することができる。
技術概要
第１のダイヤモンド層と、
前記第１のダイヤモンド層の表面に設けられたシリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜と、前記第１のダイヤモンド層の表面に互いに離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、
前記第１のダイヤモンド層と前記ゲート絶縁膜との界面に、炭素原子とシリコン原子との結合からなるＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を含む、
ことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
アピール内容
本件は、『早稲田大学技術シーズ集（問合NO.2316）』に掲載されている案件です。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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