適用製品
塗布型酸化物半導体、その塗布型酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタ、その薄膜トランジスタを備えた表示装置、および上記塗布型酸化物半導体の製造方法
目的
有機物等の残留量が高い塗布型酸化物半導体において、従来よりも大きい電子（ホール）移動度を得ることができるとともに、緻密な構造とすることができる塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置およびその塗布型酸化物半導体の製造方法を提供する。
効果
酸化物半導体の半導体特性、特に電子（またはホール）移動度を大幅に改善した塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタおよび表示装置を得ることができ、また、上記のような塗布型酸化物半導体が得られる、塗布型酸化物半導体の製造方法を得ることができる。
技術概要
所定の酸化物半導体溶液を塗布、乾燥してなる酸化物半導体層内に水素が導入され、該水素が導入された該酸化物半導体層は、紫外線が照射された上で、酸化されてなることを特徴とする塗布型酸化物半導体。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
