エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法

開放特許情報番号:L2021001244 開放特許情報登録日:2021/9/8 最新更新日:2021/9/8

基本情報
出願番号
公開番号
WO2019/107113
登録番号
出願日
2018/11/9
公開日
2019/6/6
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子 機械・加工
機能
機械・部品の製造
適用製品
エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法
目的
電子を高効率に安定して放出する炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなるエミッタ、その製造方法およびそれを用いた電子銃および電子機器を提供する。
効果
従来の炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤエミッタよりも電界放出する領域を、エミッタ端部の中心(先端)部分に集中させることができる。これにより、電子を高効率に安定して放出できる。このようなエミッタを用いれば、長期的に安定な電子銃およびそれを用いた電子機器を提供できる。
技術概要
ナノワイヤを備えたエミッタであって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなり、
前記ナノワイヤの長手方向は、炭化ハフニウム単結晶の<100>の結晶方向に一致し、
前記ナノワイヤの電子を放出すべき端部は、前記炭化ハフニウム単結晶の(200)面と{311}面とからなり、前記(200)面を中心とし、{311}面が前記(200)面を包囲している、エミッタ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved