適用製品
ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット
目的
ゲート容量Ｃｏｘが比較的大きく、高電界用途、特にパワー半導体用途に適応するＭＩＳ型半導体装置を提供すること、およびそのＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。
効果
ワイドバンドギャップＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜をもち、界面などに準位が少なく、かつリーク電流の少ないＭＩＳ型半導体装置およびＭＩＳ型半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、
前記ランタンフッ化物に対する前記ハフニウムフッ化物の体積比率が０．３５以上０．６以下である、ＭＩＳ型半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
