適用製品
半導体装置およびその半導体装置の製造方法
目的
バンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ、かつキャリアの移動度が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果
半導体層のバンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ,かつ移動度の高い半導体装置（ＭＩＳＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴなど）およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
酸化ガリウムの結晶を含む半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層とを備え、
前記酸化ガリウムの結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下である、半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
