目的
高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。
効果
高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
窒化ガリウム半導体層および酸化ガリウム半導体層を有し、
前記窒化ガリウム半導体層と前記酸化ガリウム半導体層とはヘテロ接合をなし、
前記酸化ガリウム半導体層は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下のＧａ↓2Ｏ↓3結晶を含む、半導体装置。
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開放特許情報
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