目的
半導体素子に適用可能なα−Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造装置を提供する。
効果
カーボン濃度が５×１０１８ｃｍ−３以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ｇａ２Ｏ３本来の特性を発揮できる。このようなα−Ｇａ２Ｏ３単結晶は半導体素子に好適である。ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ｇａ２Ｏ３が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
ハライド気相成長法によりα−Ｇａ↓２Ｏ↓３を製造する製造装置であって、
ガリウム原料供給源と、酸素原料供給源と、ガス排出部と、基板を設置する基板ホルダとを備える反応炉と、
前記反応炉を加熱するヒータと
を備え、
前記ガリウム原料供給源は、内部にガリウム金属が設置されるようになっており、
前記ガリウム原料供給源は、前記反応炉内の温度が成膜温度に到達してから、かつ、成膜中にのみ、ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスが前記ガリウム原料供給源に供給され、前記ガリウム原料供給源内にて前記ガリウム金属からガリウムのハロゲン化物を生成し、前記ガリウムのハロゲン化物を前記反応炉に供給するよう制御され、
前記酸素原料供給源は、前記反応炉の昇温から降温までの間、Ｏ↓２、Ｈ↓２ＯおよびＮ↓２Ｏからなる群から少なくとも１つ選択されるガスを酸素原料として前記反応炉に供給するよう制御され、
前記反応炉において、前記ガリウムのハロゲン化物と前記酸素原料とを反応させ、前記基板上にα−Ｇａ↓２Ｏ↓３を成長する、製造装置。
基本情報
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登録者情報
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