適用製品
半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置
目的
キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、およびそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供する。また、キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供する。
効果
キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、またそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供することが可能になる。
また、キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供することが可能になる。
技術概要
第１の主表面にチャネルが形成されている半導体層、前記第１の主表面に接して前記半導体層とショットキー接合をなすショットキー金属層、およびインピーダンスを有する緩衝膜を介して前記ショットキー金属層と少なくとも一部に対向して配置されるゲート電極を有し、
前記ショットキー金属層が電気的に浮遊している、半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
