適用製品
光電変換素子、この光電変換素子を用いた撮像管、冷陰極撮像板あるいは固体撮像素子等の撮像装置
目的
高電界を光電変換層に印加した場合であっても、この光電変換層が破損する虞を小さくすることができ、かつ低い暗電流特性を得ることができる光電変換素子および撮像装置を提供する。
効果
光電変換層が印加電圧によって破壊される虞を阻止することができ、また、暗電流の小さい安定した特性を有する、光電変換層とすることができる。
技術概要
光電変換層として結晶セレンを用いる光電変換素子において、
該光電変換層の光入射側と逆側に、Ｓｂ↓２Ｓ↓３からなるグラッシー層よりなる電子注入阻止強化層を設け、
前記Ｓｂ↓２Ｓ↓３からなるグラッシー層の密度が、4.00g/cm↑3以上、かつ4.64g/cm↑3以下とされていることを特徴とする光電変換素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
