目的
新規な基板粒子を提供する。
新規な基板粒子の製造方法を提供する。
新規な集積体を提供する。
また、新規な集積体の製造方法を提供する。
効果
基板粒子がヘテロエピタキシャル層を有するので、新規な基板粒子を提供することができる。
基板粒子が単結晶からなるので、新規な基板粒子の製造方法を提供することができる。
集積体がヘテロエピタキシャル層を有するので、新規な集積体を提供することができる。
基板粒子が単結晶からなるので、新規な集積体の製造方法を提供することができる。
技術概要
単結晶を作製する単結晶作製工程と、
前記単結晶にヘテロエピタキシャル層を形成するヘテロエピタキシャル層形成工程を備え、
前記単結晶作製工程は、第１の元素の水酸化物と第２の元素の酸化物を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程は、第３の元素の水酸化物と第４の元素の錯体を原料とし、溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記単結晶作製工程において、チタン酸ストロンチウムの単結晶を作製し、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程において、チタン酸バリウムのヘテロエピタキシャル層を形成することを特徴とする
基板粒子の製造方法。
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