ｎ型ＳｎＳ半導体およびそれを用いた太陽電池

開放特許情報番号：L2021000274 開放特許情報登録日：2021/3/12 最新更新日：2022/12/13

基本情報

出願番号

公開番号

登録番号

出願日

2018/3/30

公開日

2019/10/17

出願人

国立大学法人山梨大学

特許権者

国立大学法人山梨大学

権利化状況

権利化済

発明の名称

ｎ型ＢｒドープＳｎＳ半導体の製造方法

開放特許情報

技術分野

化学・薬品無機材料電気・電子

機能

材料・素材の製造

適用製品

ｎ型の電気特性を示す半導体およびそれを用いた太陽電池

目的

毒性元素／希少元素を用いない、ハロゲン元素をドープして作成された新たなｎ型ＳｎＳ半導体材料を提供する。

効果

Ｂｒ（臭素）をドープ（添加）することにより、毒性元素／希少元素を用いないｎ型ＳｎＳ半導体材料を提供することが可能となる。

技術概要

ＳｎＳ（硫化スズ）にＢｒ添加が添加されたことを特徴とするｎ型ＳｎＳ半導体。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

可

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報