目的
高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の窒化物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。
効果
バッファ層を必須とせずに良質の窒化物半導体を容易に成膜することができる。
技術概要
窒素と１３族元素であるＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる一つの元素を含有する２元系、３元系または４元系の窒化物半導体であって、
１×１０↑17ｃｍ↑（-3）以上の酸素を不純物として含有し、ＳｉまたはＧｅをドナーとして含有し、５×１０↑19ｃｍ↑（-3）以上の電子濃度を有し、前記電子濃度は実質的にＳｉドナー濃度またはＧｅドナー濃度に等しく、ｎ型導電性であり、
電子移動度が４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上である薄膜の窒化物半導体（但し、２元系の窒化物半導体がＡｌＮである場合、３元系の窒化物半導体がＡｌＧａＮである場合を除く）。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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