目的
高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現する。
効果
高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現することができる。
技術概要
第１導電型の第１半導体層と、
第１領域において前記第１半導体層に対してヘテロ接合を実現する第２導電型の第２半導体層と、
前記第１領域において前記第２半導体層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を覆うゲート電極層と、
前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極層と、
前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極層と、
前記第１領域に対して前記第２電極層側に隣接した第２領域において前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に挟まれた第１絶縁層と、
を含む、トンネル電界効果トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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