適用製品
扁平な形状を示し、透明なＰ型半導体としての性質を示すヘテロ元素含有グラフェン
目的
ドープする窒素の量が増えてもグラフェンシートの平坦性を維持でき、透明で、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供する。
効果
ドープする窒素の量が多くても、グラフェンシートの平坦性を維持でき、結晶性が高い。このため、良好な半導体特性や触媒特性を示すことが期待され、効率的に製造することができる。
技術概要
制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
