適用製品
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
目的
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜およびその生成方法を提供する。
効果
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜が表面に成長してなることを特徴とする基板であることにより、結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜を備える基板を提供することができる。
技術概要
錫を含有し、膜厚が２４０ｎｍ超２８０ｎｍ以下のときのＸ線回折測定での半値全幅（ωＦＷＨＭ）（ｓ↑（−１））が５９〜６５であり、キャリア密度（ｃｍ↑（−３））が３．８×１０↑（１６）〜８×１０↑（１８）であることを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
