適用製品
半導体装置とその製造方法および光電変換装置
目的
基材の大きさによらず、低コストで形成することが可能であり、かつ光電変換装置に適用可能な品質を有する半導体膜を備えた、半導体装置とその製造方法および光電変換装置を提供する。
効果
機能層を構成する半導体膜を、基材の大きさによらず、また、単結晶の高価な基材を用いない分、低コストで形成することが可能である。
技術概要
非晶質の基材と、
前記基材の一面に形成され、Ｇｅを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層と、
前記下地層の上に形成され、前記第一結晶粒子の−２％以上２％以下の格子定数を有する第二結晶粒子を複数含む機能層と、を備え、
前記第二結晶粒子の平均粒径が１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
