適用製品
不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに前記不揮発性メモリを備える記憶装置
目的
電流を大きくすることなく、複数のメモリセルに同時に書込みをすることのできる不揮発性メモリ、およびその駆動方法、ならびに前記不揮発性メモリを備える記憶装置を提供する。
効果
不揮発性メモリの１以上の所望のメモリセルに高速かつ少ない電流で書込みをすることができる。また、不揮発性メモリを同じ構造のメモリセルで構成することができる。また、同じ構造のメモリセルで構成された前記不揮発性メモリを備えることができる。
技術概要
供給された電流の大きさによって異なる抵抗値または磁化方向に変化する不揮発性記憶素子を備えたメモリセルを、行と列との２次元配列してなる不揮発性メモリであって、
前記メモリセルは、前記不揮発性記憶素子に並列に接続した選択トランジスタをさらに備え、前記選択トランジスタは、オンである場合とオフである場合とで、当該メモリセルに所定の大きさの電流が供給されたときに前記不揮発性記憶素子を異なる抵抗値または磁化方向に変化させ、
前記行方向に配列された前記メモリセルが直列に接続され、
前記列方向に配列された前記メモリセルのそれぞれにおける前記選択トランジスタのゲートに入力するワード線を備えることを特徴とする不揮発性メモリ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
