目的
高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の化合物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。
効果
高温プロセスを経ることなく、単結晶のスパッタリング膜を形成することができる。
技術概要
窒素と１３族元素であるＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる一つの元素を含有する２元系、３元系または４元系の化合物半導体であって、
電子濃度と比抵抗の二つの物性値の組み合わせについて、
（ａ）電子濃度が１．８×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．２５×１０↑-3Ω・ｃｍ、
（ｂ）電子濃度が３．６×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．２５×１０↑-3Ω・ｃｍ、
（ｃ）電子濃度が６×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．１５×１０↑-3Ω・ｃｍ、
及び、
（ｄ）電子濃度が３×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．１５×１０↑-3Ω・ｃｍ、
の４点で囲まれた数値条件を満たす化合物半導体。
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