適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的
マスクパターンを使用せずに極性や表面欠陥の影響を軽減したIII族窒化物半導体基板を提供する。
効果
極性や表面欠陥の影響を軽減できるIII族窒化物半導体基板が実現される。
技術概要
III族窒化物半導体で構成され、主面がミラー指数｛ｈｋｌｍ｝で表される六方晶系結晶においてｍの指数がマイナスとなる半極性面であり、前記主面に複数の欠陥が存在し、複数の前記欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっているIII族窒化物半導体層を有し、
前記主面には複数の前記欠陥列が存在し、複数の前記欠陥列は同一方向に延伸しているIII族窒化物半導体基板。
するIII族窒化物半導体基板。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
