適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的
露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術を提供する。
効果
露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術が実現される。
技術概要
＋Ｃ面が露出した平坦面と、
前記平坦面から傾いており、＋Ｃ面と異なる面方位の非＋Ｃ面が露出した傾斜面と、
を含む成長面を有し、
平面視で、前記成長面における前記傾斜面の占有率は、３０％以上７０％以下であるIII族窒化物半導体基板。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
