適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体の単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法
目的
ＬＥＤやＬＤ等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術を提供する。
効果
ＬＥＤやＬＤ等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術が実現される。
技術概要
下地基板を準備する準備工程と、
前記下地基板の上に、Ｉｎ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１）で構成され、ｃ軸方向の格子定数をＬ１とし、（０．５７５ｘ＋５．１８５）ÅをＬ２としたとき、Ｌ２を基準としたＬ１の変化率（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ２は、０．３８６×１０↑（−４）以上４．２４３×１０↑（−４）以下であり、ａ軸方向の格子定数をＭ１とし、（０．３５９ｘ＋３．１８９）ÅをＭ２としたとき、Ｍ２を基準としたＭ１の変化率（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ２は、０．３１４×１０↑（−４）以上４．０７７×１０↑（−４）以下である単結晶半導体層を形成する成長工程と、
前記成長工程の前に、前記単結晶半導体層のｃ軸方向の格子定数及びａ軸方向の格子定数のターゲット値に基づいて、前記単結晶半導体層にドーピングする不純物の濃度を決定する決定工程と、
を有する単結晶半導体層の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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