適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的
平坦性の高いIII族窒化物半導体基板及びその製造方法の提供。
効果
III族窒化物半導体基板の表面を平坦化する新たな方法が実現される。
技術概要
III族窒化物半導体で構成された第１のIII族窒化物半導体層を準備する準備工程と、
前記第１のIII族窒化物半導体層の第１の面上に、III族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることで、露出している成長面が前記第１のIII族窒化物半導体層の前記第１の面よりも平坦性が高い第２のIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、
を有し、
前記成長工程では、互いに膜組成が異なる３つの膜が積層した前記第２のIII族窒化物半導体層を形成し、
最下層の膜の成長速度は、０．５μｍ／ｈｒ以上２．０μｍ／ｈｒ以下であり、
前記最下層の直上の膜の成長速度は、１．５μｍ／ｈｒ以上８．０μｍ／ｈｒ以下であり、
最上層の膜の成長速度は、１５．０μｍ／ｈｒ以上４０．０μｍ／ｈｒ以下であるIII族窒化物半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
