自立基板、及び、自立基板の製造方法

開放特許情報番号：L2020002095 開放特許情報登録日：2021/1/8 最新更新日：2021/1/8

基本情報

出願番号

公開番号

登録番号

出願日

2014/10/3

公開日

2016/5/12

出願人

古河機械金属株式会社

特許権者

古河機械金属株式会社

権利化状況

権利化済

発明の名称

自立基板、及び、自立基板の製造方法

開放特許情報

技術分野

無機材料

機能

材料・素材の製造

適用製品

自立基板、及び、自立基板の製造方法

目的

自立基板の上に形成するデバイスの特性への悪影響を軽減するための新たな技術を提供する。

効果

自立基板の上に形成するデバイスの特性への悪影響を軽減することが可能となる。

技術概要

III族窒化物半導体からなる層と、
前記層の中に存在し、前記層の厚さ方向に延伸し、他の領域よりも不純物濃度が高いピット埋込領域と、
を有し、
前記層の露出面における前記ピット埋込領域の密度は、０．９個／ｃｍ↑２以下である自立基板。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

可

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報