ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法

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開放特許情報番号：L2020002093 開放特許情報登録日：2021/1/8 最新更新日：2021/1/8

基本情報

出願番号

特願2015-053058

公開番号

特開2016-174069

登録番号

特許第6466216号

出願日

2015/3/17

公開日

2016/9/29

出願人

古河機械金属株式会社

特許権者

古河機械金属株式会社

権利化状況

権利化済

発明の名称

ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子無機材料金属材料

機能

材料・素材の製造

適用製品

ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法

目的

下地基板とIII族窒化物半導体層との剥離方法を提供する。

効果

従来にない新たな剥離方法が実現される。

技術概要

Ｘ膜（Ｘは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ又はＴａ）とＣ膜とを交互に連続的に積層し、かつ、加熱することで得られるＸＣ層を、下地基板の上に形成するＸＣ層形成工程と、
前記ＸＣ層の上にIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、
前記下地基板と前記III族窒化物半導体層を分離する分離工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

可

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

古河機械金属株式会社

その他の情報