目的
ｎ型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供する。
効果
ｎ型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供することができる。
技術概要
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に、ハイドライド気相成長法により、ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する工程とを含み、
前記ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する工程は、ｎ型不純物の濃度が５×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以上であり、厚さが５０μｍ以上である高濃度領域を形成する工程を含み、
前記高濃度領域を形成する工程では、成長温度を１１２０℃以上とし、ドーピングガスとしてジクロロシランを用い、
貫通転位密度を５×１０↑（６）ｃｍ↑（−２）以下とする自立基板の製造方法。
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