目的
従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。
効果
従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。
技術概要
下地基板に、前記下地基板の第１の面から前記下地基板の厚さ方向に伸び、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がり、開口の直径Ｄｉが１００ｎｍ≦Ｄｉ≦５００ｎｍを満たし、開口の深さＤｅが１０００ｎｍ≦Ｄｅ≦１００００ｎｍを満たす縦長ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の前記第１の面の上に、前記縦長ピットの少なくとも一部分を空洞として残して、III族窒化物半導体を成長させる成長工程と、
を有し、
前記ピット形成工程は、
前記下地基板の前記第１の面上に、ＳｉＯ↓２膜又はＳｉＮ膜である保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、ＴＭＧａ又はＴＥＧａと、ＮＨ↓３とを供給しながら前記下地基板及び前記保護膜を加熱することで、前記縦長ピットを形成する熱処理工程と、
を有し、
前記熱処理工程では、前記加熱の間、前記ＮＨ↓３の流量を、１ｓｌｍ以上である第１の流量と、０ｓｌｍである第２の流量との間で交互に切り替えるIII族窒化半導体層の製造方法。
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