適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法
目的
凹状の反りを抑制した自立基板の製造方法を提供する。
技術概要
窒化物半導体からなり、第１の面に凸部を有する下地基板を準備する準備工程と、
第１の面を薬液によりエッチングする前処理工程と、
前処理工程の後、第１の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、
を有し、
準備工程は、
基材上に、第１の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）が分散した炭素層を形成する第１の工程と、
第１の層の上に、第２の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）の層を形成する第２の工程と、
第２の層を窒化する第３の工程と、
窒化された第２の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第４の工程と、
第４の工程の後、基材、第１の層、窒化された第２の層及びIII族窒化物半導体層を含む積層体を、III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱し、基材とIII族窒化物半導体層とを分離する第５の工程と、
を有し、
第５の工程で分離されたIII族窒化物半導体層から下地基板を得る自立基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
