適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的
サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術を提供する。
効果
サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術が実現される。
技術概要
半極性面を主面として有するサファイア基板と、
前記主面上に位置するIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記主面に垂直な方向での平面視において、前記サファイア基板の＜０００２＞方向と、前記III族窒化物半導体層の＜１０−１０＞方向とのなす角が４４．５°以上４５．５°以下であるIII族窒化物半導体基板。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
