適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的
III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させるための技術を提供する。
効果
III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させることができる。
技術概要
サファイア基板と、
前記サファイア基板上に形成されたIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記III族窒化物半導体層の主面は、半極性面であり、ミラー指数（ｈｋｍｌ）で表され、ｌが０未満であり、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のｃ軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定したＸＲＣ（X-ray Rocking Curve）の半値幅は、５００ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物半導体基板。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
