目的
複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させること。
効果
複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させることができる。
技術概要
評価対象の基板に、前記基板の第１の面から前記基板の厚さ方向に伸び、前記基板に形成された転位と繋がり、かつ、前記第１の面における開口の直径Ｄｉが１００ｎｍ≦Ｄｉ≦５００ｎｍであり、アスペクト比（＝深さＤｅ／開口の直径Ｄｉ）が３≦Ｄｅ／Ｄｉ≦１００を満たす縦長ピットを含むピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記縦長ピットの数をカウントすることで、前記第１の面に貫通する転位の数をカウントする解析工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の評価方法。
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