目的
簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供する。
効果
簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供することができる。
技術概要
窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に炭素を不純物として導入しながら第１の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化物半導体層の上に、厚さが５０μｍ以上である第２の窒化物半導体層を形成する工程とを含み、
含有される炭素の濃度が、前記下地基板から厚み方向に遠ざかるにつれて連続的に高くなるように前記第１の窒化物半導体層を形成する自立基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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