目的
従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。
効果
従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。
技術概要
下地基板に、前記下地基板の厚さ方向に伸びている縦長ピット部分と、前記縦長ピット部分よりも大きい直径を有するとともに前記縦長ピット部分の一端と繋がっている幅広ピット部分と、を有し、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がる漏斗形状ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の上に、前記漏斗形状ピットの少なくとも一部分を空隙として残して、III族窒化物半導体を横方向成長させる成長工程と、
を有し、
前記ピット形成工程は、
前記下地基板に、一端が開口する縦長ピットを形成する第１工程と、
前記第１工程の後、前記縦長ピットの開口側端部の一部分を径方向に拡張して前記幅広ピット部分を形成する第２工程と、
を有するIII族窒化半導体層の製造方法。
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