適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びその製造方法
目的
無極性面または半極性面からなる面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
効果
平坦な無極性面あるいは半極性面薄膜を得るために必要な基板が提供される。
技術概要
ｃ軸方向に１ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体のバルク結晶のｃ軸成長面をａｓ ｇｒｏｗｎ面のままとして、前記バルク結晶を、スライスまたは研磨することにより、（１１−２０）面もしくは（１０−１０）面からなる無極性面、または、（１０−１−１）面、（１０−１−３）面、（１０−１１）面、（１０−１３）面もしくは（１１−２２）面からなる半極性面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したＩＩＩ族窒化物半導体基板。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
