目的
反りの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
効果
反りを低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、開口部からIII族窒化物半導体層を成長させるためのマスクを形成する工程を含まないIII族窒化物半導体層の製造方法であって、
炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記下地基板が除去されたIII族窒化物半導体層を得る工程とを含み、
III族窒化物半導体層を成長させる前記工程は、
３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層を形成し、
前記第二のIII族窒化物半導体層の２次元成長領域の(０００２)のＸ線ロッキングカーブ半値幅が、前記第一のIII族窒化物半導体層の３次元成長領域の(０００２)のＸ線ロッキングカーブ半値幅に対して５０％以下であるIII族窒化物半導体層の製造方法。
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