目的
III族窒化物半導体基板を得るにあたり、手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
効果
手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層上に、第一膜として炭素膜を形成する工程と、
前記炭化物層を窒化する工程と、
窒化した前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記III族窒化物半導体層から、前記下地基板を除去して、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程とを含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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