適用製品
ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板
目的
手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、並びに、この製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板およびこの基板上に形成したデバイスを提供する。
効果
手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、および、この製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供することができる。
技術概要
下地基板上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層を窒化する工程と、
窒化された前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記III族窒化物半導体層から、前記下地基板を除去し、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
