目的
ｐ型層を除去することなくｎ側電極を形成することにより、プレーナ型の電構造を有する発光素子を提供するとともに、その製造方法を提供する。
効果
ｐ型層および発光層を除去することなくｎ側電極を形成させることができることから、プレーナ型の電極構造とすることができ、バンプ等を形成することなくｐ側電極と同じ高さのｎ側電極を設けることができる。従って、フリップチップ型の発光素子とする場合において、実装基板等との接合状態を良好にすることができる。
技術概要
成長基板上に、ｎ型層、発光層およびｐ型層を成長させる成長工程と、
チャネリング条件下においてｐ型層の表面からｎ型層に到達する範囲にｎ型不純物としてシリコンをイオン注入するチャネリング工程と、
前記チャネリング工程によりｎ型不純物としてシリコンイオンが注入された領域を、アンモニアを含む雰囲気中でアニールすることによりｎ型化するアニール工程と、
前記アニール工程によりｎ型化された領域の表面にｎ側電極を接続するｎ側電極構成工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
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開放特許情報
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