目的
暗電流が抑制され、低雑音化された固体撮像装置を提供する。
効果
暗電流が抑制され、低雑音化された固体撮像装置を提供できる。
技術概要
基体領域と、
電荷蓄積領域と、
リセットドレインと、
リセット素子閾値制御層と、
リセット素子界面層と、
ゲート絶縁膜と、
リセットゲート電極と
を有するリセットトランジスタがそれぞれ設けられた画素を、画素アレイを構成するように複数個配列し、
前記リセット素子閾値制御層は前記リセットゲート電極にオフ電圧を印加した状態で、前記リセット素子閾値制御層を前記電荷が移動可能なチャネルが形成される不純物密度に設定され、
前記リセット素子界面層は前記リセットゲート電極に前記オフ電圧を印加した状態で、前記ゲート絶縁膜の直下に中性領域を残す不純物密度に設定されていることを特徴とする固体撮像装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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