目的
センシング領域の上に電荷プールを形成して、検出対象である化学現象や物理現象に応じて電荷プールの深さを変化させ、電荷プールに存在する電荷の量を測定するタイプの化学・物理現象検出装置では、電荷プールに対する電荷供給時及び電荷移送時にそれぞれゲートの制御が必要となる。よって、各制御のために時間を要し、また各ゲート制御用のデバイスも要求される。
効果
センシング領域の上に電荷プールは何ら形成されないので、堰が不要となり、その結果、堰にゲートを設ける必要もなくなる。これにより、従来必要とされたゲート制御のためのデバイスやこのデバイスを駆動するためのリードタイムを不要とできる。
技術概要
外部環境の変化に対応して電位が変化するセンシング領域と電荷蓄積領域とを区画した半導体基板を備え、前記センシング領域の電位が反映された量の電荷が前記電荷蓄積領域に蓄積され、該電荷の量を検出する化学・物理現象検出装置であって、
前記電荷蓄積領域は前記センシング領域に連続した第１の電位井戸領域を含み、
前記第１の電位井戸領域に保持される電荷の境界電位を前記センシング領域の電位と等しくすることで、前記センシング領域の電位を前記第１の電位井戸領域に保持される電荷の電荷量に反映させる、化学・物理現象検出装置。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
