適用製品
化合物半導体を用いた薄膜太陽電池の光吸収層を、低温かつ非真空プロセスで形成する作製方法
目的
太陽電池の光吸収層を非真空プロセスで、かつ、低温で容易に作製する方法を提供する。
効果
キサンテートを配位した金属錯体を溶媒に溶かして溶解液とし、不活性ガス雰囲気下で、溶媒の蒸発と加熱焼成を行なうため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができ、このため複雑で大規模な製造設備を必要とせず、低コストでの光吸収層の作製が可能となる。
技術概要
太陽電池の光吸収層を作製する方法において、
キサンテートを配位した金属錯体を、複数混合して溶媒に溶かして溶解液とする第一工程と、
前記溶解液を電極が形成された基板に塗布する第二工程と、
基板に塗布された前記溶解液の前記溶媒を、不活性ガス雰囲気で７０℃〜９０℃の温度で蒸発させる第三工程と、
前記溶媒を蒸発させた後、不活性ガス雰囲気で１００℃〜３００℃の温度で加熱焼成する第四工程と、
から成ることを特徴とする光吸収層の作製方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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