適用製品
物体を加熱することにより生じる熱輻射光を光電変換することにより発電を行う熱輻射光発電装置
目的
熱輻射体から光電変換素子の半導体層に、発電に寄与する波長の近接場光は伝播させつつ、発電に寄与しない長波長の表面波が伝播することを防ぐことができ、それにより出力密度及び発電効率が共に高い熱輻射光発電装置を提供する。
効果
熱輻射体から光電変換素子の半導体層に、発電に寄与する波長の近接場光は伝播させつつ、発電に寄与しない長波長の光が伝播することを防ぐことができ、それにより出力密度及び発電効率が共に高い熱輻射光発電装置を得ることができる。
技術概要
a) 熱輻射体と、
b) 前記熱輻射体から離間して配置された、1層又は複数層の半導体層を有する光電変換素子と、
c) 前記熱輻射体と前記光電変換素子の間に、該光電変換素子に接し、前記1層の半導体層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーに対応する波長又は前記複数層の各半導体層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーのうちの最小のものに対応する波長であるバンドギャップ波長の1/3以下の距離だけ前記熱輻射体から離間して配置された、波長0.5〜1000μmの光に関して誘電率の実部が正の値を有し且つ前記光電変換素子において光電変換される波長範囲内の少なくとも一部の波長の光を透過する材料から成る中間部材と
を備えることを特徴とする熱輻射光発電装置。