適用製品
窒素−空孔複合欠陥（以下、「ＮＶセンター」とも称する。）を有するダイヤモンド単結晶、および、ＮＶセンターを有するダイヤモンド単結晶の製造方法
目的
トリプルＮＶセンター以上の多量子ビットとして作用するＮＶセンターを有するダイヤモンド単結晶を実現する。
効果
ダイヤモンド単結晶中のＮＶセンターを室温で３量子ビット以上の多量子ビットとして機能させることができるという効果を奏する。
技術概要
少なくとも３つの窒素−空孔複合欠陥を有するダイヤモンド単結晶であって、
前記少なくとも３つの窒素−空孔複合欠陥が、量子絡み合いにより多量子ビットとして機能することを特徴とするダイヤモンド単結晶。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
