適用製品
炭素珪素（ＳｉＣ）基板を用いて形成されたＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ、及び、このＳｉＣ ＪＦＥＴで構成されたｎチャネルＪＦＥＴ及びｐチャネルＪＦＥＴを備えたＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
目的
広い温度範囲において、安定した動作が可能で、かつ、相補型ＪＦＥＴの作製が容易な、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタを提供する。
効果
高温で安定に動作が可能で、かつ相補型論理回路の作製が容易な、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要
ＳｉＣ基板の主面に、互いに離間して形成された第１導電型のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の下方に形成された第１導電型の埋込チャネル領域と、
前記ＳｉＣ基板の主面であって、少なくも前記ソース領域及び前記埋込チャネル領域を含む領域の両側に形成された一対の第２導電型のゲート領域と、
を備え、
前記埋込チャネル領域と、前記ドレイン領域とは、前記一対のゲート領域より下方に形成された第１導電型の埋込不純物領域によって接続されている、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
