適用製品
近赤外光、Ｘ線等を用いた画像診断機器、或いは分光分析装置。
目的
ダイシングマージンとして活用されていない半導体素子の外周周辺部を有効に利用する。半導体素子の周辺部の側壁は、ダイシング工程により機械的、熱的に損傷を受け結晶欠陥が発生し、重金属、反応性化学物質等の汚染に曝されている。半導体素子表面の外周近傍領域の有効活用のため、集積回路やメモリセル等を半導体素子の外周周辺部にも近接配置できるようにする。
効果
半導体素子上のメモリ容量、或いは論理回路規模を増大させるだけでなく、半導体素子の側壁部を受光部とした半導体撮像素子が得られる。また、半導体素子の使用環境或いは実装条件に柔軟に対応できるため、装置の小型・軽量化が可能になる。
技術概要
積層半導体素子の外周部の一側面部の形状が平面視座上、凸状又は凹状に湾曲し、さらに一側面部を構成する半導体素子の側面部が絶縁体で被覆され、かつ絶縁体で被覆された側面部に受光窓を有し、受光窓から半導体基板の内部に向かって光電変換領域が、平面視座上、放射状に形成されている積層半導体素子。或いは平面視座上、同一の円形形状の半導体素子を複数枚積層した積層半導体素子であって、積層半導体素子を構成する半導体素子の側面部が絶縁体で被覆され、かつ絶縁体で被覆された側面部に複数の受光窓を有する光電変換領域が平面視座上、放射状に形成されている積層半導体素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
