適用製品
半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス
目的
エピタキシャル膜のその下地部材との界面近傍の領域におけるＳｉを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制された半導体デバイス、その半導体デバイスの製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体、並びにその半導体基板及び結晶積層構造体の製造方法を提供する。
効果
エピタキシャル膜のその下地部材との界面近傍の領域におけるＳｉを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制された半導体デバイス、その半導体デバイスの製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体、並びにその半導体基板及び結晶積層構造体の製造方法を提供することができる。
技術概要
Ｓｉを含まない第１の材料を母材とする基板に、Ｓｉと反応するエッチングガスを用いる反応性イオンエッチングを施し、前記エッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層を前記基板の表面に形成する工程、を含み、
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての装置部品がＳｉを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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