適用製品
ダイヤモンド基板を用いたダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的
ノーマリオフの電気特性を有するダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果
ダイヤモンド電界効果トランジスタのしきい値電圧がシフトしてノーマリオフの電気特性が得られる。
技術概要
ダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ダイヤモンド基板の領域に形成された水素化層と、
前記水素化層の上面に接して形成された補助絶縁層と、
前記補助絶縁層の上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上に形成され、平面視で前記補助絶縁層に重なって配置されたゲート電極と
を有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
アピール内容
本件は、『早稲田大学技術シーズ集（問合NO.2093）』に掲載されている案件です。
基本情報
開放特許情報
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