目的
立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造を提供する。
当該垂直磁化膜構造を用いて形成した垂直磁化膜及び垂直ＭＴＪ素子を提供する。
効果
高い結晶指数面を有するルテニウム（Ｒｕ）やレニウム（Ｒｅ）等の金属層を実現することで、六方最密充填（ｈｃｐ）構造にもかかわらず正方形に近い原子配列が得られることを利用し、立方晶や正方晶系に属する強磁性材料を（００１）面方位に成長可能にし、高い加熱耐性をもつ垂直磁化膜を実現するとともに，それを用いた垂直磁化型垂直ＭＴＪ素子の提供ができる。
技術概要
ｈｃｐ構造を有する金属であって、（００１）面方位の立方晶系単結晶基板もしくは（００１）面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、［０００１］方位が４２°〜５４°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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